| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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NTZS3151PT1G |
SOT-563，SOT-666 | ON Semiconductor | 72168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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NTZS3151PT1G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 包装数量：4000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：860mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：458pF @ 16V 功率 - 最大值：170mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： DC DC ConAPTS006A0X-SRZ 芯片电阻 - 表面RG2012V-3010-B-T5 嵌入式 - 微控制ST7FLIT19BY0M6 矩形- 接头，公引DF1B-12DP-2.5DS(01) FET - 单DMN3135LVT-7 Card EdgeHMC28DRTI-S13 Card EdgeECC28DRTS-S93 芯片电阻 - 表面RG3216N-56R2-B-T5 FET - 单IXTA44N30T Card EdgeECA44DTAH |
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